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關(guān)于東微

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滿(mǎn)足各種電能轉換系統的應用

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專(zhuān)注半導體器件技術(shù)創(chuàng )新

GreenMOS

GreenMOS

GreenMOS系列高壓MOSFET產(chǎn)品具有比常規超級結MOSFET產(chǎn)品更快的開(kāi)關(guān)速度和更柔和的開(kāi)關(guān)曲線(xiàn)，可以極大的簡(jiǎn)化系統EMI設計、提高系統效率并降低系統發(fā)熱量。

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SGTMOS

SGTMOS

SFGMOS系列MOSFET產(chǎn)品采用半浮柵結構，兼備了傳統平面結構和SGT結構的功率MOSFET的優(yōu)點(diǎn)，并具有更高的工藝穩定性和可靠性及更快的開(kāi)關(guān)速度、更小的柵電荷和更高的應用效率等優(yōu)點(diǎn)。

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IGBT

IGBT

東微計劃推出高速系列、低Vcesat系列、RC系列等IGBT產(chǎn)品，涵蓋650V~1700V電壓，可廣泛應用于白色家電、新能源逆變器、汽車(chē)驅動(dòng)等領(lǐng)域。

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GreenMOS,SGTMOS,IGBT

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