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東微半導體成立于2008年,注冊資本9432.6914萬(wàn)元,是一家技術(shù)驅動(dòng)型的半導體技術(shù)公司,在作為半導體核心技術(shù)的器件領(lǐng)域有深厚的技術(shù)積累,專(zhuān)注半導體器件技術(shù)創(chuàng )新,擁有多項半導體器件核心專(zhuān)利。 2013年下半年,東微半導體原創(chuàng )的半浮柵器件的技術(shù)論文在美國《科學(xué)》期刊上發(fā)表,標志著(zhù)國內科學(xué)家在半導體核心技術(shù)方向獲得重大突破,新聞聯(lián)播、人民日報等媒體均進(jìn)行了頭條重點(diǎn)報道,引起了國內外業(yè)界的高度關(guān)注。2016年?yáng)|微半導體自主研發(fā)的新能源汽車(chē)直流大功率充電樁用核心芯片成功量產(chǎn),打破國外廠(chǎng)商壟斷。目前,東微半導體已成為國內高性能功率半導體領(lǐng)域的佼佼者,在新能源領(lǐng)域替代進(jìn)口半導體產(chǎn)品邁出了堅實(shí)一步,產(chǎn)品進(jìn)入多個(gè)國際一線(xiàn)客戶(hù),并受到了客戶(hù)的一致好評。2022年2月10日,東微半導體登陸上海證券交易所科創(chuàng )板上市,證券代碼:688261。

 

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2022

2022年2月10日,東微半導體登陸上??苿?chuàng )板上市,證券代碼:688261。

2019

東微半導體的創(chuàng )新型IGBT進(jìn)入量產(chǎn),性能達到國際一流水平。

2018

東微半導體的GreenMOS大功率超結MOSFET成為國內市場(chǎng)的知名品牌,在充電樁等高端應用中被眾多一線(xiàn)客戶(hù)采用。

2016

東微半導體發(fā)明的原創(chuàng )結構的SFGMOS實(shí)現量產(chǎn),進(jìn)入到新能源汽車(chē)驅動(dòng)、電池保護及同步整流等應用領(lǐng)域。

2016

東微半導體的新能源汽車(chē)充電樁用核心功率器件芯片成功量產(chǎn),并進(jìn)入到充電樁核心芯片市場(chǎng),被人民日報等主流媒體普遍報道。

2014

東微半導體開(kāi)始量產(chǎn)國產(chǎn)化超級結系列高壓大功率MOSFET,成為國內工業(yè)級大功率系列高壓MOSFET的供應商。

2013

半浮柵器件技術(shù)論文在美國《科學(xué)》期刊上正式發(fā)表,并在8月9日被新聞聯(lián)播頭條長(cháng)篇報道。團隊受到時(shí)任江蘇省省長(cháng)李學(xué)勇、科技部副部長(cháng)曹建林等領(lǐng)導接見(jiàn)。


2012

東微半導體制造出世界上首個(gè)半浮柵晶體管(Semi-Floating Gate Transistor),可用于新型存儲器,感光器件及功率器件等應用。

2009

東微半導體獲得蘇州工業(yè)園區領(lǐng)軍人才計劃項目支持。

2008

蘇州東微半導體有限公司在蘇州工業(yè)園區注冊成立,專(zhuān)注于原創(chuàng )半導體器件結構和工藝的創(chuàng )新和研發(fā)。

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