中低壓SGTMOS系列
東微的SFGMOS系列MOSFET產(chǎn)品采用半浮柵結構，兼備了傳統平面結構和SGT結構的功率MOSFET的優(yōu)點(diǎn)，并具有更高的工藝穩定性和可靠性及更快的開(kāi)關(guān)速度、更小的柵電荷和更高的應用效率等優(yōu)點(diǎn)。SFGMOS系列MOSFET產(chǎn)品涵蓋20V~200V全系列，可廣泛應用于電機驅動(dòng)、同步整流等領(lǐng)域中。
東微的SFGMOS系列MOSFET產(chǎn)品采用半浮柵結構，兼備了傳統平面結構和SGT結構的功率MOSFET的優(yōu)點(diǎn)，并具有更高的工藝穩定性和可靠性及更快的開(kāi)關(guān)速度、更小的柵電荷和更高的應用效率等優(yōu)點(diǎn)。SFGMOS系列MOSFET產(chǎn)品涵蓋20V~200V全系列，可廣泛應用于電機驅動(dòng)、同步整流等領(lǐng)域中。
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