IGBT
東微的IGBT芯片采用特有的Trident-Gate Bipolar Transistor (TGBT)器件結構，以得到更低的導通壓降與更小的開(kāi)關(guān)損耗。目前公司已先后推出第一代及第二代TGBT多個(gè)系列產(chǎn)品，涵蓋600V~1350V電壓，適合應用于光伏儲能逆變、直流充電樁、汽車(chē)主驅、UPS等領(lǐng)域。公司亦開(kāi)發(fā)出超高速系列（E系列）TGBT，工作頻率達到60-100KHz，可以在滿(mǎn)足電源系統進(jìn)一步高頻化的同時(shí)，實(shí)現更高的效率。
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