晶圓代工大廠(chǎng)聯(lián)電20日宣布，IC設計公司力旺一次可編程（OTP）存儲器矽智財NeoFuse已成功導入聯(lián)電28納米高壓（HV）制程，強攻有機發(fā)光二極管（OLED）市場(chǎng)，關(guān)鍵客戶(hù)已經(jīng)完成設計定案（Tape Out），并且準備量產(chǎn)。

聯(lián)電表示，高端手機配備OLED顯示器已然成為趨勢，對小尺寸顯示器驅動(dòng)芯片（SDDI）效能要求亦更高，這樣的需求也顯示在制程平臺的選擇上，OLED關(guān)鍵客戶(hù)逐漸從55納米或40納米往更先進(jìn)的28納米高壓制程靠攏。

而28納米高壓制程可使高效能顯示器引擎的復雜運算能力發(fā)揮最大功能，提供OLED顯示器驅動(dòng)芯片更快的資料存取速度，更高容量的靜態(tài)隨機存取存儲器（SRAM＿及更好功耗，同時(shí)達到高畫(huà)質(zhì)與省電的目的。

目前聯(lián)電在2019年的小尺寸顯示器驅動(dòng)芯片（SDDI）量產(chǎn)晶圓出貨量為全球之冠，其28納米后閘式（Gate-Last）HKMG制程具備優(yōu)越管理漏電功耗與動(dòng)態(tài)功率表現，可以提升移動(dòng)設備的電池壽命，以此為基礎，其28納米高壓制程提供業(yè)界最小的靜態(tài)隨機存取存儲器（SRAM）記憶單位（Bit-cell）以減少芯片整體面積。

至于，力旺是世界領(lǐng)導之邏輯非揮發(fā)性存儲器矽智財廠(chǎng)商，NeoFuse矽智財為各種類(lèi)型之應用提供低功耗、高可靠度、高安全性的解決方案，已經(jīng)廣泛布建于世界各大晶圓廠(chǎng)，從0.15um制程至先進(jìn)制程節點(diǎn)均已布建，未來(lái)也將繼續與晶圓廠(chǎng)緊密合作，為客戶(hù)創(chuàng )造最大利潤與價(jià)值。

事實(shí)上，近來(lái)聯(lián)電受惠于購并日本12寸新廠(chǎng)加入營(yíng)運，加上通訊與電腦市場(chǎng)領(lǐng)域新品布建及庫存回補需求，使得在5G手機射頻芯片、OLED驅動(dòng)芯片，及用于電腦周邊和固態(tài)硬盤(pán)的電源管理芯片的推升下，帶動(dòng)出貨量成長(cháng)。2019年第4季，聯(lián)電合并營(yíng)收418.49億元，較第3季成長(cháng)10.89%，較2018年同期增加17.17%，創(chuàng )新高紀錄。累計，2019年全年合并營(yíng)收新臺幣1,482.02億元，較2018年減2.02%。

信息來(lái)源：全球半導體觀(guān)察官網(wǎng)（www.dramx.com）