SiC devices
第三代半導體材料功率器件是未來(lái)高性能功率器件的重要組成部分之一。東微研發(fā)團隊在寬禁帶半導體研究上有豐富的經(jīng)驗，相繼研發(fā)了并聯(lián)SiC的IGBT及寬禁帶場(chǎng)效應晶體管。
目前量產(chǎn)的并聯(lián)SiC二極管的新一代高速I(mǎi)GBT，大幅改善了Eon、trr、 Qrr和Qg等特性，適合在追求極限效率的系統中使用，支持80-100kHz的高速開(kāi)關(guān)和圖騰柱無(wú)橋PFC應用。
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